噴涂機(jī)產(chǎn)品及廠家

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備
lpcvd是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）？捎糜诳茖W(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
更新時(shí)間:2025-11-13
分子束外延薄膜生長設(shè)備(MBE)
該設(shè)備可以在某些襯底材料上實(shí)現(xiàn)外延生長工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等？梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長制造。
更新時(shí)間:2025-11-13
鵬城半導(dǎo)體 高真空磁控濺射鍍膜機(jī) PC-002 距離角度可調(diào)
高真空磁控濺射儀是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
更新時(shí)間:2025-11-13
鵬城半導(dǎo)體 高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī) PC-003
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)采用電阻熱蒸發(fā)技術(shù)，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜？捎糜谏a(chǎn)和科學(xué)實(shí)驗(yàn)，可根據(jù)用戶要求門訂制；可用于材料的物理和化學(xué)研究；可用于制備金屬導(dǎo)電電；可用于有機(jī)材料的物理化學(xué)性能研究實(shí)驗(yàn)、有機(jī)半導(dǎo)體器件的原理研究實(shí)驗(yàn)、oled實(shí)驗(yàn)研究及有機(jī)太陽能薄膜電池研究實(shí)驗(yàn)等。
更新時(shí)間:2025-11-13
鵬城半導(dǎo)體 高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī) PC-004 真空度高、抽速快
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導(dǎo)電薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點(diǎn)材料。
更新時(shí)間:2025-11-13
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 CVD熱絲金剛石設(shè)備
研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲cvd金剛石設(shè)備，分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產(chǎn)制造環(huán)保域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電？捎糜谄矫婀ぜ慕饎偸∧ぶ苽，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。
更新時(shí)間:2025-11-13
鵬城半導(dǎo)體 PECVD設(shè)備 PC-006
pecvd設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-11-13
鵬城半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備 PC-007
lpecvd是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。可用于科學(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
更新時(shí)間:2025-11-13
鵬城半導(dǎo)體 MOCVD設(shè)備 PC-008
材料的輸運(yùn)采取了超純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。
更新時(shí)間:2025-11-13

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