噴涂機產品及廠家
pecvd設備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
更新時間:2025-11-13
lpecvd是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。
更新時間:2025-11-13
材料的輸運采取了超純的氣路系統，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。
更新時間:2025-11-13
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