噴涂機產品及廠家

供應 鵬城半導體 LPCVD設備
lpcvd是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。
更新時間:2025-11-13
分子束外延薄膜生長設備(MBE)
該設備可以在某些襯底材料上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 高真空磁控濺射鍍膜機 PC-002 距離角度可調
高真空磁控濺射儀是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機 PC-003
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機采用電阻熱蒸發(fā)技術，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜？捎糜谏a和科學實驗，可根據用戶要求門訂制；可用于材料的物理和化學研究；可用于制備金屬導電電；可用于有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、oled實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機 PC-004 真空度高、抽速快
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點材料。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 CVD熱絲金剛石設備
研發(fā)設計制造了熱絲cvd金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產制造環(huán)保域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電？捎糜谄矫婀ぜ慕饎偸∧ぶ苽，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質涂層制備。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 PECVD設備 PC-006
pecvd設備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 LPCVD設備 PC-007
lpecvd是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 MOCVD設備 PC-008
材料的輸運采取了超純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。
更新時間:2025-11-13

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