噴涂機產品及廠家

供應 鵬城半導體 分子束外延MBE設備 非標定制
分子束外延薄膜生長設備mbe（分子束外延mbe設備）該設備可以在某些襯底材料上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 熱絲CVD金剛石設備 非標定制
研發(fā)設計制造了熱絲cvd金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金ji*jin剛石涂層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。例如可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 多功能磁控濺射儀
多功能磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 電子束蒸鍍機
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機（電子束蒸鍍機）是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點材料。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 電阻熱蒸發(fā)鍍膜機 非標定制
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機（電阻熱蒸發(fā)鍍膜機）采用電阻熱蒸發(fā)技術，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。
更新時間:2025-11-13
供應 等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）
pecvd設備（等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)）主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 LPCVD設備
lpcvd是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。
更新時間:2025-11-13
分子束外延薄膜生長設備(MBE)
該設備可以在某些襯底材料上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等？梢赃M行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 高真空磁控濺射鍍膜機 PC-002 距離角度可調
高真空磁控濺射儀是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機 PC-003
高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機采用電阻熱蒸發(fā)技術，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。可用于生產和科學實驗，可根據用戶要求門訂制；可用于材料的物理和化學研究；可用于制備金屬導電電；可用于有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、oled實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機 PC-004 真空度高、抽速快
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機是在高真空條件下，采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法，在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍各種高熔點材料。
更新時間:2025-11-13
供應 鵬城半導體 CVD熱絲金剛石設備
研發(fā)設計制造了熱絲cvd金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產制造環(huán)保域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電？捎糜谄矫婀ぜ慕饎偸∧ぶ苽，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質涂層制備。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 PECVD設備 PC-006
pecvd設備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 LPCVD設備 PC-007
lpecvd是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是si3n4、sio2及poly硅薄膜）？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。
更新時間:2025-11-13
鵬城半導體 MOCVD設備 PC-008
材料的輸運采取了超純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。
更新時間:2025-11-13

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